1.不亮：这种失效是指LED通电后*不发光。一般而言，导电路径上的”断路(open)＂是本类失效的主因之一，确认断路的方法也十分简易，以常见的三用电表就可验证。不过，要找到断路点就必须做进一步的解析，例如：可用X-ray来确认打线是否断线或脱离、用SEM(扫瞄式电子显微镜)观察剖面结构可检查黏晶部份的缺陷等等。本类失效的第二个主因是”短路(short)”，这是因为电流未确实通过LEDchip，而是流经”旁门左道”，故LED灯粒自然不会发光，如：因发生电子迁移导致电极金属原子的不正常扩散，譬如氧化铟锡(ITO)、银或是GaN/InGaN二极管中的阻挡层金属等都可能因机械应力、高电流密度或在腐蚀性的环境发生此类异状。其它的原因可能是打线偏移、黏晶胶爬胶等等。这种失效必须利用I-Vcurve(电流-电压图)才能判定，至于失效点因为从外观无法检查到上述缺陷，故需先以X-ray来确认；或是化学溶液去除LED封装材料后，再使用光学(OM)或电子显微镜(SEM)仔细检查。

　　2.变色：这类失效是指LED不点亮的状况下，外观颜色或胶材透明度与新品不同，用肉眼即可看出，通常在产品使用一段时间或在做完可靠度试验后发生。一般说来，变色区域大致可区分为发生在导线架或封装胶材两类，若发生在导线架，通常是因为表面与环境中的化学物质发生反应，如氧化或硫化，要分辨属于哪种需仰赖成份分析，可使用的仪器包含有EDS、XPS、AES等等。若是封装用的胶材发生变色，则属于高分子材料的劣化现象，如环氧树脂易受高温或是紫外光影响而变黄，因此白光LED多改采矽胶取代之。分析此类失效应特别留意，因胶材本身有一定的透明度，有时变色的导线架因被胶材盖住而误判为胶材变色，引导至错误的改善方向。

　　3.光衰：这种失效系指LED发出的光强度低于新品。光衰程度已成为评判LED照明产品寿命的重要指标，所以这类失效的分析就相当重要。整体来说，本类失效的分析非常复杂，因为影响光强度的因素非常多，如chip劣化、反射杯的劣化、胶材与chip间脱层、胶材透明度下降、打线接合面电阻上升、热阻太高等等，若发生在白光LED，则还需考虑萤光粉劣化的问题，因白光LED通常使用一或多种的萤光粉，它们会受到热或湿气的影响而衰减并降低效率，导致产出的光色改变。分析的手法包括有：非破坏检测，如外观检查、LED电性曲线、积分球的光学特性等等，用上述数据综合判断，逐一排除，当推断可能原因后，接着进行破坏性分析，利用样品制备技术制作出适合的分析样品，再辅以各种仪器如SAT超音波扫瞄、FTIR傅立叶转换红外光谱仪、TEM穿透式电子显微镜、SEM等等加以验证，方能到真因。

　　4.ESD失效：这是一种静电放电所引起的chip破坏，在MOSIC的产品中非常重视此现象，对LED而言，过往因砷化镓(GaAs)芯片本身可导电，故这类问题并不常见，但因白光LED使用不导电的蓝宝石基板，而且基板与GaN等材料间因晶格不匹配会形成内部缺陷(如差排)，对ESD的损害更为敏感。静电的放电可能产生半导体接合点（junction）立即的失效或特性漂移及潜在的损坏都会导致衰减的速率增加。有几种现象可用来帮助判断chip是否遭受静电破坏，譬如反向偏压漏电流大增、chip仅局部发光、chip表面出现局部熔融点等等。有时，一开始的静电破坏的程度不高，LED的电特性、发光特性、chip表面完整性皆无异状，但这种破坏会因累积而逐渐明显，有时却也可能安然度过整个产品生命周期，一旦生产线未做好静电防护措施时，所生产的产品的客退率将会忽高忽低，面对这种现象，失效分析也未必可寻得真因，因此做好生产线静电防护措施才是较好的解决之道。

　　5.其他：突然间的失效常常是因为热应力所致，当环氧树脂的封装达到玻璃转移温度(Tg)时，树脂会很快速的膨胀，在半导体和焊点接触的位置产生机械应力来弱化或扯断它，而在非常低的温度时则会让封装产生裂痕。此外，高功率LED对电流的拥挤敏感，不均匀的电流密度分布在接合点上，可能会产生局部的热点，存在热烧毁的风险，若再出现基板的热传不均匀，将使问题变得更严重，这常见于銲接材料的孔洞或是电子迁移效应和Kirkendall空洞，故热烧毁亦是LED常见的失效模式。